IPD082N10N3G
品牌: Infineon(英飞凌)
封装: TO-252-3
类型: N沟道
漏源电压(Vdss): 100V
连续漏极电流(Id): 80A
功率(Pd): 125W
类目: 场效应管(MOSFET)
场效应管 IPD082N10N3G Infineon(英飞凌)
摘要
场效应管 IPD082N10N3G TO-252-3 Infineon(英飞凌)
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