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场效应管 IPD082N10N3G Infineon(英飞凌)

发布时间2024-3-29 10:50:00关键词:IPD082N10N3
摘要

场效应管 IPD082N10N3G TO-252-3 Infineon(英飞凌)

IPD082N10N3G

品牌: Infineon(英飞凌)

封装: TO-252-3

类型: N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 80A

功率(Pd): 125W

类目: 场效应管(MOSFET)

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